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Michael Nastasi|James W. Mayer:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Pasta blanda

2010, ISBN: 3642062598

[EAN: 9783642062599], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], DIFFUSION DOPING IMPLANTEDSHALLOWJUNCTIONS IONIMPLANTATION IONRANGES ION-MODIFIEDMATERIALS SLICINGSILICON CRYSTAL DISTRIBU… Más…

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Mayer, James W.; Nastasi, Michael:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Pasta blanda

2010, ISBN: 3642062598

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Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 Kartoniert / Broschiert Materialwissenschaft / Aggregatzustände, Teilchen- und Hochenergiephysik, Physikalische Chemie, Elektronische Geräte … Más…

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Primera edición

2010

ISBN: 9783642062599

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[ED: Kartoniert / Broschiert], [PU: Springer Berlin Heidelberg], Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the basics and c… Más…

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2010, ISBN: 9783642062599

Mitwirkende: Mayer, James W. Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 280 Seiten, Publiziert: 2010-02-12T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.… Más…

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2006, ISBN: 9783642062599

Ion Implantation and Synthesis of Materials ab 129.99 € als Taschenbuch: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Physik, Medien > Bücher nein B… Más…

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Datos bibliográficos del mejor libro coincidente

Detalles del libro
Ion Implantation and Synthesis of Materials
Autor:
Título:
ISBN:

9783642062599


Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

Detalles del libro - Ion Implantation and Synthesis of Materials


EAN (ISBN-13): 9783642062599
ISBN (ISBN-10): 3642062598
Tapa dura
Tapa blanda
Año de publicación: 2010
Editorial: Springer Berlin Heidelberg
280 Páginas
Peso: 0,427 kg
Idioma: eng/Englisch

Libro en la base de datos desde 2011-05-17T17:41:30-05:00 (Mexico City)
Página de detalles modificada por última vez el 2023-01-25T10:23:33-06:00 (Mexico City)
ISBN/EAN: 9783642062599

ISBN - escritura alterna:
3-642-06259-8, 978-3-642-06259-9
Mode alterno de escritura y términos de búsqueda relacionados:
Autor del libro: michael nastasi, michael mayer, michael may, michael nast, james michael
Título del libro: synthesis, ion

Datos del la editorial

Autor: Michael Nastasi; James W. Mayer
Título: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Editorial: Springer; Springer Berlin
263 Páginas
Año de publicación: 2010-02-12
Berlin; Heidelberg; DE
Impreso en
Idioma: Inglés
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 263 p. 131 illus.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; BB

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras
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