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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Pasta blanda

2011, ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… Más…

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Taschenbuch, [EAN: 9783832527914], Logos Berlin, Logos Berlin, Book, [PU: Logos Berlin], Logos Berlin, 295206, Hilfsmittel, 290518, Chemie, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606,… Más…

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2011, ISBN: 9783832527914

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Detalles del libro
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Autor:
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9783832527914


Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlassigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer grossen Statistik bezuglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusatzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation naher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Detalles del libro - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika


EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Tapa blanda
Año de publicación: 2011
Editorial: Logos Verlag Berlin

Libro en la base de datos desde 2015-03-13T16:53:05-06:00 (Mexico City)
Página de detalles modificada por última vez el 2018-03-25T09:27:42-06:00 (Mexico City)
ISBN/EAN: 9783832527914

ISBN - escritura alterna:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
Mode alterno de escritura y términos de búsqueda relacionados:
Autor del libro: hafkemeyer

Datos del la editorial

Autor: Kristian Hafkemeyer
Título: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Editorial: Logos Berlin
Año de publicación: 2011-02-23
Idioma: Alemán
36,50 € (DE)
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Not available, publisher indicates OP

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg

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