- 5 Resultados
precio mínimo: € 98,47, precio máximo: € 109,99, precio promedio: € 104,94
1
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design / Wladyslaw Grabinski (u. a.) / Taschenbuch / Paperback / XIV / Englisch / 2010 / Springer Netherland / EAN 9789048171484 - Grabinski, Wladyslaw
Pedir
por booklooker.de
€ 98,47
Envío: € 0,001
Pedir
Detalles del proveedor
Enlace patrocinado
Grabinski, Wladyslaw:

Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design / Wladyslaw Grabinski (u. a.) / Taschenbuch / Paperback / XIV / Englisch / 2010 / Springer Netherland / EAN 9789048171484 - Pasta blanda

2010, ISBN: 9789048171484

Pasta dura

[ED: Taschenbuch], [PU: Springer Netherland], The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variet… Más…

Gastos de envío:Versandkostenfrei, Versand nach Deutschland. (EUR 0.00) Buchbär
cerrar (X)
2
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design Wladyslaw Grabinski Editor
Pedir
por BarnesandNoble.com
€ 109,99
Pedir
Detalles y envío
Enlace patrocinado
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design Wladyslaw Grabinski Editor - libro nuevo

ISBN: 9789048171484

The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variety of subjects and the high quality of con… Más…

new in stock. Gastos de envío:zzgl. Versandkosten., más gastos de envío
cerrar (X)
3
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - Grabinski, W.
Pedir
por Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 108,32
Envío: € 0,001
Pedir
Detalles del proveedor
Enlace patrocinado
Grabinski, W.:
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - Pasta blanda

2010

ISBN: 9789048171484

Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 308 Seiten, Publiziert: 2010-10-19T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 1.09 kg, Verkaufsrang: 1349635, Elektrotech… Más…

Gastos de envío:Auf Lager, Lieferung von Amazon. (EUR 0.00) Amazon.de
cerrar (X)
4
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - Grabinski, W.
Pedir
por Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 100,92
Envío: € 3,001
Pedir
Detalles del proveedor
Enlace patrocinado
Grabinski, W.:
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - Pasta blanda

2010, ISBN: 9789048171484

Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 308 Seiten, Publiziert: 2010-10-19T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 1.09 kg, Verkaufsrang: 1349635, Elektrotech… Más…

Gastos de envío:Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.00)
cerrar (X)
5
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
Pedir
por Hugendubel.de
€ 106,99
Envío: € 0,001
Pedir
Detalles del proveedor
Enlace patrocinado
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design - Pasta blanda

2006, ISBN: 9789048171484

*Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design* - Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 / Taschenbuch für 106.99 € / Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik Medien > Büch… Más…

Gastos de envío:Shipping in 3 days, , Versandkostenfrei nach Hause oder Express-Lieferung in Ihre Buchhandlung., DE. (EUR 0.00)
cerrar (X)
1Dado que algunas plataformas no nos comunican las condiciones de envío y éstas pueden depender del país de entrega, del precio de compra, del peso y tamaño del artículo, de una posible membresía a la plataforma, de una entrega directa por parte de la plataforma o a través de un tercero (Marketplace), etc., es posible que los gastos de envío indicados por eurolibro/terralibro no concuerden con los de la plataforma ofertante.

Datos bibliográficos del mejor libro coincidente

Detalles del libro
Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
Autor:
Título:
ISBN:

9789048171484


The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The variety of subjects and the high quality of content of this volume make it a reference document for researchers and users of MOSFET devices and models. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization. The book will appeal equally to PhD students who want to understand the ins and outs of MOSFETs as well as to modeling designers working in the analog and high-frequency areas.

Detalles del libro - Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design


EAN (ISBN-13): 9789048171484
ISBN (ISBN-10): 9048171482
Tapa dura
Tapa blanda
Año de publicación: 2010
Editorial: Springer Netherlands
308 Páginas
Peso: 0,493 kg
Idioma: eng/Englisch

Libro en la base de datos desde 2012-05-27T02:41:46-05:00 (Mexico City)
Página de detalles modificada por última vez el 2024-03-29T09:19:58-06:00 (Mexico City)
ISBN/EAN: 9789048171484

ISBN - escritura alterna:
90-481-7148-2, 978-90-481-7148-4
Mode alterno de escritura y términos de búsqueda relacionados:
Autor del libro: grabinski, schreurs, dominique, wladyslaw
Título del libro: analog, ana, transistor

Datos del la editorial

Autor: Wladyslaw Grabinski; Bart Nauwelaers; Dominique Schreurs
Título: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
Editorial: Springer; Springer Netherland
294 Páginas
Año de publicación: 2010-10-19
Dordrecht; NL
Impreso en
Idioma: Inglés
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 294 p.

BC; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Hardware; Leistungsfeldeffekttransistor; MOSFET; Potential; Standard; VHDL; Verilog; analog; field-effect transistor; metal oxide semiconductur field-effect transistor; model; modeling; semiconductor; simulation; transistor; Electronic Circuits and Systems; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Microwaves, RF Engineering and Optical Communications; Electrical and Electronic Engineering; Elektronik; Elektrotechnik; BB; EA

2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures.- PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET model.- EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model.A design-oriented MOS transistor compact model.- Modelling using high-frequency measurements.- Empirical FET models.- Modeling the SOI MOSFET nonlinearities. An empirical approach.- Circuit level RF modeling and design.- On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulations.- Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMS.- Compact modeling in Verilog-A.
Brings together a variety of modeling techniques Treats models as well as methods of implementation Is a true in depth source for MOS-modelers
< para archivar...